上期文章的结尾讲到的问题不知诸位大神们是否还记得：就是一颗新电容器的物料是否可以完全替换掉之前的Murata家的这个GRT033D70E105ME18物料？

小编我也看了私信有不少的人认为是可以替换掉的，原因是两个电容封装，容值都是一样的，这个曲线也是看起来差不多啊。针对这些网友们的回答，小编我来统一回复一下吧，其实这个曲线还是不能太直观的说明这两个电容的物料是完全百分百可以替换掉的，最好是导入到实际的项目中去比对一下。

仿真步骤：首先是看下之前的正常的带有村田Murata-C0201_1UF的这个电容器的电源网络的PDN曲线表现如何，小编就拿之前的做的一个项目的上SOC芯片上的三路主要电源网络去比对一下。

CASE1，CNN0_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

我们接着把这颗C0201_1UF的电容物料由之前的Murata的替换成了一家朝鲜的小公司的电容器物料了，我们先就称呼它为C0201_1UF_NEW，更新物料后的CNN0_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

其实通过上图我们可以发现电源网络在频率是38MHz的时候阻抗已经超过了目标限值阻抗30毫欧了。

CNN0_0V8_G3电源其目标阻抗限值数据如下所示：（备注CNN0_0V8_G3阻抗限值数据是和CNN1_0V8_G3的是一样的）

把两种结果放在一起比对一下：

结论就是：这个新的物料不太适用，还是沿用之前的设计：C0201_1UF的电容物料还是保持之前的Murata那个物料，新的物料导入进来会有一些风险存在的。

CASE2，CNN01_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

更新物料后的CNN0_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

其实通过上图我们可以发现电源网络在频率是4MHz的时候阻抗为28毫欧，这个数值已经很接近我们的目标限值阻抗30毫欧了。

把两种结果放在一起比对一下：

结论就是：这个新的物料不太适用，虽然说没有超过目前阻抗曲线值，但是已经很接近了，裕量太少了，加上器件的安装电感啥的，实际上测试的结果肯定是比仿真这个要差一些的，所以说我们还是沿用之前的设计：C0201_1UF的电容物料还是保持之前的Murata那个物料，不导入新的物料。

CASE3，CPU_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

更新物料后的CPU_0V8_G3电源网络上的PDN曲线图如下所示：

其实通过上图我们可以发现电源网络在频率是4.8MHz左右的时候阻抗为30.7毫欧，这个数值已经很接近我们的目标限值阻抗33毫欧了。

CPU_0V8_G3电源其目标阻抗限值数据如下所示：

把两种结果放在一起比对一下：

结论就是：这个新的物料不太适用，虽然说没有超过目前阻抗曲线值，但是已经很接近了，裕量太少了，加上器件的安装电感啥的，实际上测试的结果肯定是比仿真这个要差一些的，所以说我们还是沿用之前的设计：C0201_1UF的电容物料还是保持之前的Murata那个物料，不导入新的物料。

所以说有的时候我们做项目的时候看问题不能够太片面了，感觉设计的差不多就好了，不会有啥大问题的，但是一旦出问题了，后面的结果谁来承担啊？设计师之间互相甩锅吗？

好了，以上就是本期的所有内容了，我们下期文章不见不散。

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